Модуль памяти Kingston 4ГБ DDR3

Технические характеристики

• Тип памяти DDR3
• Форм-фактор DIMM 240-контактный
• Тактовая частота 1600 МГц
• Пропускная способность 12800 МБ/с
• Объем 1 модуль 4 ГБ
• Поддержка ECC нет
• Поддержка XMP нет
• Буферизованная (Registered) нет
• Низкопрофильная (Low Profile) нет
• CAS Latency (CL) 10
• RAS to CAS Delay (tRCD) 10
• Row Precharge Delay (tRP) 10
• Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка
• Напряжение питания 1.5 В
• Количество ранков 1
• Радиатор есть