Модуль памяти Silicon Power 4ГБ DDR4

Технические характеристики

• Тип памяти DDR4
• Форм-фактор DIMM 288-контактный
• Тактовая частота 2400 МГц
• Пропускная способность 19200 МБ/с
• Объем 1 модуль 4 ГБ
• Поддержка ECC нет
• Поддержка XMP нет
• Буферизованная (Registered) нет
• Низкопрофильная (Low Profile) нет
• CAS Latency (CL) 17
• Количество чипов каждого модуля 8
• Напряжение питания 1.2 В