Модуль памяти Silicon Power 8ГБ DDR4

Технические характеристики

• Тип памяти DDR4
• Форм-фактор SODIMM 260-контактный
• Тактовая частота 2666 МГц
• Пропускная способность 21300 МБ/с
• Объем 1 модуль 8 ГБ
• Поддержка ECC нет
• Поддержка XMP нет
• Буферизованная (Registered) нет
• Низкопрофильная (Low Profile) нет
• CAS Latency (CL) 19
• Напряжение питания 1.2 В